首页> 外文会议>IEEE International Conference on Advanced Trends in Radioelectronics, Telecommunications and Computer Engineering >Determination of Bi12SiO20 permittivity and loss tangent in the 220–325 GHz band and the influence of UV exposure on these parameters
【24h】

Determination of Bi12SiO20 permittivity and loss tangent in the 220–325 GHz band and the influence of UV exposure on these parameters

机译:在220–325 GHz频带内测定Bi12SiO20的介电常数和损耗角正切,以及紫外线暴露对这些参数的影响

获取原文

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号