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机译:6H-碳化硅(0001)的表面蚀刻及其对氮化镓,MOCVD的氮化铝和APCVD的碳化硅生长的影响。
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机译:聚集速率法评价氮化硅水散悬浮液的分散行为。
机译:ζ-电位几乎为0的水悬浮液的分散和/或细粒化方法,这些方法,以及含有水悬浮液的用途。
机译:ZETA电位接近于零的矿物质悬浮液的分散和/或研磨剂,包含相同成分的水悬浮液,以及应用
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