Institute of Bio- and Nanosystems (IBN-1) and JARA- Fundamentals of Future Information Technology, Research Centre Julich GmbH, D-52425 Julich, Germany,Paul-Drude-Institut fur Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany;
Institute of Bio- and Nanosystems (IBN-1) and JARA- Fundamentals of Future Information Technology, Research Centre Julich GmbH, D-52425 Julich, Germany,Paul-Drude-Institut fur Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany;
Institute of Bio- and Nanosystems (IBN-1) and JARA- Fundamentals of Future Information Technology, Research Centre Julich GmbH, D-52425 Julich, Germany,Paul-Drude-Institut fur Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany;
Institute of Bio- and Nanosystems (IBN-1) and JARA- Fundamentals of Future Information Technology, Research Centre Julich GmbH, D-52425 Julich, Germany;
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机译:通过热蒸发生长的GaN纳米棒和纳米线的阴极发光
机译:时空分辨阴极荧光光谱技术的实现,用于研究在独立GaN衬底上生长的低位错密度m平面ln_(0.05)Ga_(0.95)N外延层中的局部载流子动力学
机译:从MOVPE选择性生长的纳米金字塔中合成的GaN的阴极发光研究
机译:在选择性地生长的甘蓝轮上的阴极发光光谱
机译:甘油基纳米线异质结构的选择性区域外星应用在光子和电子器件中的应用
机译:MoCVD的单片生长同轴增益/ GaN多量子壳纳米线的研制
机译:用于研究局部载体动力学的时空分离的阴离子发光光谱法在一个独立的GaN衬底上生长的低位位移密度平面中局部载体动力学的频率光谱学研究在0.05ga0.95N中生长
机译:氮等离子体辅助分子束外延生长的c轴GaN纳米线的稳态和瞬态光电导