Department of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan;
机译:等离子体辅助热丝化学气相沉积法在ZnO缓冲层上沉积AlN薄膜:朝向高度c轴取向的均匀绝缘膜
机译:高度C轴取向ZnO薄膜的特性和光催化活性
机译:等离子体辅助反应式脉冲直流磁控溅射低温形成c轴取向氮化铝薄膜
机译:用于高电容冷凝器的C轴取向的BLSF薄膜的新候选者
机译:MEMS薄膜聚四氟乙烯驻极体电容麦克风。
机译:增强c轴取向外延Ba掺杂BiCuSeO薄膜的热电性能
机译:原子汽相沉积c轴取向Aurivillius相Bi5Ti3FeO15薄膜的结构和压电响应特性
机译:用于恶劣环境的薄膜陶瓷应变传感器开发:用于测试静态应变传感器开发可行性的候选薄膜陶瓷鉴定的中期报告