IHCT, University of Wuppertal, 42119, Germany;
Infineon Technologies AG, 81726 Munich, Germany;
Infineon Technologies AG, 81726 Munich, Germany;
IHCT, University of Wuppertal, 42119, Germany;
Power generation; Silicon germanium; Silicon; Power transmission lines; Gain; Impedance; Bandwidth;
机译:4–32 GHz SiGe多频功率放大器,峰值功率为20 dBm,峰值增益为18.6 dB,功率分数带宽为156%
机译:宽带110-170-GHz交错功率放大器,130-nm Sige,13.5 dbm psat
机译:基于功率放大器单元,SiGe中PAE为31%的,输出功率为30.8 dBm的宽带20至28 GHz信号发生器MMIC
机译:一个200-225 GHz SiGe功率放大器,使用宽带功率组合为9.6 dBm的峰值Psat
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:用于功率放大器预失真实验的数字补偿宽带60 GHz试验台
机译:宽带20至28GHz信号发生器mmIC,输出功率为30.8dBm,基于功率放大器单元,siGe为31%paE