California NanoSystems Institute, University of California Los Angeles;
Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque;
Dept. of Electrical Engineering, University of California Los Angeles;
VECSEL; III-Sb; photoluminescence;
机译:GaAs / AlGaAs DBR上基于2μmInGaSb / AlGaSb量子阱的VECSEL的生长和优化
机译:界面失配阵列对GaAs表面III-Sb外延生长的影响
机译:具有GaSb吸收区的GaAs和AlGaAs雪崩光电二极管中的噪声过大-使用界面失配阵列生长的复合结构
机译:用于高功率2μmVECSEL的GaAs / AlGaAs DBR上基于界面失配位错阵列的III-Sb有源区的生长
机译:基于界面失配位错阵列的生长模式,用于演示硅上单片集成的光学泵浦锑化物激光器。
机译:具有周期性90°错配位错界面阵列的GaAs衬底上生长的高弛豫GaSb的结构分析
机译:GaAs / AlGaAs DBR上基于2μmInGaSb / AlGaSb量子阱的VECSEL的生长和优化