Fraunhofer Gesellschaft ⅡS-B, Schottkystrasse 10, D-91058 Erlangen, Germany;
机译:具有CPML吸收边界条件的热掩膜应用的一维光子晶体的FDTD建模
机译:具有CPML吸收边界条件的双正面和双负星系组成的1D光子晶体的FDTD模型。
机译:具有CPML的吸收气溶胶光散射边界条件的散射场FDTD和PSTD算法
机译:EUV掩模模型FDTD算法中边界条件的修改
机译:将FDTD吸收边界条件方法扩展到有损耗电介质,以进行微波设备建模。
机译:使用极端紫外(EUV)辐射和EUV诱导的氮等离子体的聚醚醚酮(PEEK)的物理化学表面改性
机译:用于高阶m24 FDTD算法的积分pmL吸收边界条件