IBM Research, Zurich Research Laboratory, 8803 Riischlikon, Switzerland;
polarization-sensitive devices;
机译:超薄ALD HfSiON覆盖层在SiON介电材料上针对低功耗应用的Ni-FUSI CMOS技术的应用
机译:埋入式Sol-gel / SiON波导结构,用于在硅衬底上无源对准单模光纤
机译:Langmuir / z模式波到辐射的线性模转换:平均能量转换效率,极化和对地球连续辐射的应用
机译:SION技术中的被动极化转换:结构和应用
机译:用于绝缘体上硅波导中偏振控制的应力工程及其在新型无源偏振分离器/滤波器中的应用。
机译:采用0.18μmCMOS技术的超低功耗RFID / NFC前端IC用于无源标签应用
机译:SiON技术中的无源极化转换器
机译:Ecut:能源转换和利用技术计划生物催化研究活动。潜在的膜应用于生物催化过程:浓度极化和膜污染的评估