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Enhanced IGBT self clamped inductive switching (SCIS) capability through vertical doping profile and cell optimization

机译：通过垂直掺杂分布和单元优化增强了IGBT自钳制电感开关（SCIS）功能

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In this paper, we analyze the impact of cell and vertical structure design to enhance the energy handling capability of the IGBT used in automotive ignition applications. The self-clamped inductive switching (SCIS) capability of the IGBT is presented both experimentally and through non-isothermal two-dimensional numerical simulations. It is shown that the SCIS energy density capability can be increased by up to 35% by optimization of the cell and vertical structure.

机译：在本文中，我们分析了电池和垂直结构设计的影响，以增强用于汽车点火应用的IGBT的能量处理能力。通过实验和通过非等温二维数值模拟，介绍了IGBT的自钳位电感开关（SCIS）能力。结果表明，通过优化电池和垂直结构，可以使SCIS能量密度能力提高35％。

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来源
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》|2005年|p.289-292|共4页
会议地点
作者
Yedinak J.; Wojslawowicz J.; Czeck B.; Baran R.; Reichl D.; Lange D.; Shenoy P.; Doiny G.;
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作者单位

Discrete Power Product Dev., Fairchild Semicond., Mountaintop, PA;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类自动化技术、计算机技术;
关键词

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