Yerevan Physics Institute, Brothers Alikhanian 2, Yerevan, 0036, Armenia;
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Tomsk Polytechnic University, Lenin Ave. 30, Tomsk, 634050, Russia;
Tomsk Polytechnic University, Lenin Ave. 30, Tomsk, 634050, Russia;
机译:体和超晶格负电子亲和力阴极产生的电子束的热发射率测量
机译:紧凑型X射线自由电子激光器强烈超辐射电子束的产生与表征
机译:具有高横向发射比的压缩平板电子束的形成
机译:电束用大射线横向和扁平晶体生产的PXR的光线跟踪计算
机译:通过测量短脉冲的横向RMS发射率和RMS脉冲长度,光注入器在其图像电荷的第二瞬间产生了电子束。
机译:通过X射线光谱成像测量的激光加速电子的本征束发射率
机译:VUV和软X射线自由电子激光器FLASH(以前的VUV-FEL)是DESY \ ud的用户设施 (汉堡)。为了优化设施的性能,\ ud的准确表征 电子束特性至关重要。横向投影发射率,重要参数之一 表征电子束质量的方法是使用具有光学\ ud 过渡辐射监测仪。 1 udC光束的归一化均方根发射率低于2 mmmrad 测量。在本文中,我们描述了实验设置,数据分析方法以及当前\ ud 实验结果。