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THE INFLUENCE OF PREPARATION CONDITIONS ON THE VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE BAND IN POROUS SILICON

机译：制备条件对多孔硅可见光致发光带的影响

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摘要

A separation of the broad visible band of the photoluminescence in two subbands with the maxima situated at 1.54 eV and 1.72 eV at the room temperature related to preparation conditions was obtained in porous silicon films prepared on (100) p-type wafers.
机译：在（100）个p型晶片上制备的多孔硅膜中，在两个子带中将光致发光的宽可见光带分成两个子带，在室温下，最大值与制备条件有关，最大子带位于1.54 eV和1.72 eV。

著录项

  • 来源
    《CAS'95 proceedings 》|1995年|259-262|共4页
  • 会议地点 Sinaia(RO);Sinaia(RO)
  • 作者

    M.L.Ciurea; E.Pentia; A.Manea; A.Belu-Marian;

  • 作者单位

    Institute of Physics and Technology of Materials, Bucharest-Magurele, P.O.Box MG-7, ROMANIA;

    Institute of Physics and Technology of Materials, Bucharest-Magurele, P.O.Box MG-7, ROMANIA;

    Institute of Physics and Technology of Materials, Bucharest-Magurele, P.O.Box MG-7, ROMANIA;

    Institute of Physics and Technology of Materials, Bucharest-Magurele, P.O.Box MG-7, ROMANIA;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 半导体技术 ;
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