Si 上GaInAs/InP p-i-n 薄膜光検出器の20 Gbps 動作

摘要

近年のLSI 内素子の微細化に伴う問題の解決策として、光配線が注目されている。そこで我々は、半導体薄膜光集積回路をLSI 上にハイブリッド実装する技術を提案しており、光源をはじめとした一連の光素子の研究を行っている[1-2]。中でも、光検出器は、回路全体の性能を律速する要因にもなっており、小型・高速・高感度化を同時に実現するような構造が強く望まれている。今回、Si 上集積型GaInAs バルク吸収層薄膜p-i-n フォトダイオード（PD）の高速特性の評価を行ったのでご報告する。