電子エネルギー損失分光法による4H-SiC/SiO_2界面近傍の余剰炭素評価

摘要

SiCを用いたMOSFETは次世代パワーデバイスとして期待されているが、SiC/SiO2 界面近傍のトラップ電荷密度が高く、チャネル移動度低下といった性能低下の問題を抱えている。 界面近傍のトラップ電荷密度が高い理由の一つに、SiC/SiO2界面近傍の余剰炭素が指摘されてお り[1]、最近、そのような存在について観測されている[1]、 [2]。本研究では、電子エネルギー損失 分光法（EELS)により、SiO2/SiC界面近傍の余剰炭素の検出、評価を試みた。