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【24h】

Nd_2PdO_4 における Pd サイトへの Cu 固溶

机译:Nd_2PdO_4中Pd部位的Cu固溶体

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摘要

我々は電子ドープ銅酸化物超伝導体と同じNd_2CuO_4構造(通称T’構造)を持つPd 酸化物RE_2PdO_4(RE: 希土類元素)に着目し、その分子線エピタキシー(MBE)成長に取り組んできた。このうち、RE = NdにおいてNdの一部をCeで置換したNd_(2-x)Ce_xPdO_4について、そのエピタキシャル成長と、還元処理を施したNd_(2-x)CexPdO_4薄膜(0.19 ≤ x ≤ 0.24)において金属的な振る舞いが観測されることを報告した。一方で、用いた薄膜試料において、PdOの生成によると推測される薄膜合成時のPdの再蒸発、およびRE2PdO4の熱分解に起因すると考えられる格子欠陥が多く存在していた。また超伝導発現の兆候は見られなかった。そのため今回は、Nd_2PdO_4(絶縁体)とNd_2CuO_4(超伝導体)間でPd / Cuを系統的に固溶させたNd_2Pd_(1-x)Cu_xO_4の作製に取り組んだ。
机译:我们已经集中研究了Pd氧化物RE_2PdO_4(RE:稀土元素)的分子束外延(MBE)生长,其具有与电子掺杂的氧化铜超导体相同的Nd_2CuO_4结构(通常称为T'结构)。其中,在RE = Nd处用Ce代替Nd的一部分的Nd_(2-x)Ce_xPdO_4外延生长在还原的Nd_(2-x)CexPdO_4薄膜中(0.19≤x≤0.24)。据报道观察到金属行为。另一方面,在所使用的薄膜样品中,有许多晶格缺陷被认为是由于薄膜合成过程中Pd的再蒸发所致,据推测是由于PdO的形成以及RE2PdO4的热分解所致。此外,未见超导电性开始的迹象。因此,这次,我们致力于Nd_2Pd_(1-x)Cu_xO_4的制造,这是Nd_2PdO_4(绝缘体)和Nd_2CuO_4(超导体)之间Pd / Cu的系统固溶体。

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