Oshima-ECRイオン源における Ar多価イオンの 生成と今後展

摘要

電子サイクロトン共鳴（Electron Cyclotron Resonance: ECR)イオン源は，多価イオン生成装置として開発され，幅広く応用されている。半導体製造において，基板材料に不純物をドービングするイオン注入は不可欠な技術となっている。特に，近年はパワー半導体市場が急速に伸びており，その基板材料であるSiCへのアルミニウムのイオン注入技術の開発が競争力向上のカギとなっている。アルミニウムに関しては，容易に除去できる3個のM殻電子に加えて，さらに電離エネルギーが高いL殻電子を1つ取り除いたアルミニウム4価の生成技術およびビーム電流の向上が今後重要になると考えられる。そこで我々は，近い将来必要となるアルミニゥム4価のィオンビームの生成及びその電流量向上を目的としている。