MIRAI - Semiconductor leading edge technologies, Inc. 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan;
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MIRAI - Semiconductor leading edge technologies, Inc. 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan;
MIRAI - Semiconductor leading edge technologies, Inc. 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan;
EUV lithography; resist outgassing; pressure rise; GC-MS;
机译:EUV抵抗放气:量化和释放机制
机译:从EUV金属氧化物纳米粒子抗蚀剂在电子照射期间产生的原位测量
机译:EUV金属氧化物纳米粒子在电子辐照过程中产生的脱气的原位测量
机译:EUV抵抗夸张量化和应用
机译:极高的紫外线抗蚀剂除气作用及其对附近光学器件的影响。
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:EUV抵抗突出:量化和释放机制