Deignan;
M. Tuthill;
M. O'Neill Analog Devices, Raheen Industrial Estate, Limerick, Ireland;
机译:高性能0.35- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术,针对0.6- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术的产品移植进行了优化
机译:高性能超自对准3 V / 5 V BiCMOS技术,具有极低的寄生效应,适用于低功率混合信号应用
机译:0.35-μmBiCMOS技术上集成射频变容二极管的选择和建模
机译:EP120:0.35μm,3V / 5V,混合信号/ RF BICMOS技术
机译:8位,3V,BICMOS,视频速率模数转换器设计
机译:单相还原碲的热电性能四元(PbTe)0.55(PbS)0.1(PbSe)0.35
机译:VLC采用800μm直径APD接收器,集成在标准的0.35-μmbicmos技术中