Dstl, Porton Down, Salisbury, Wiltshire, SP4 OJQ;
机译:从垃圾/界面失败转变为长杆射弹冲击碳化硅的渗透
机译:钨重合金长杆穿透器的停留和穿透会影响无极限有限厚度的碳化硅陶瓷靶
机译:碳化硅在冲击冲击和冲击释放板冲击实验中的响应分析
机译:覆盖物对碳化硅停留特性的影响
机译:二氧化硅/碳化硅界面的微结构和化学研究及其与碳化硅MOS二极管和碳化硅MOSFET的电学性质的关系。
机译:碳化硅和氮化硅的腐蚀特性
机译:温度和开关速率对碳化硅肖特基势垒二极管和MOSFET动态特性的影响
机译:停留,界面失效和长杆撞击碳化硅的渗透。