首页> 外文会议>2017 International Topical Meeting on Microwave Photonics >Highly linear silicon Mach-Zehnder modulators with optimized phase-shifter
【24h】

Highly linear silicon Mach-Zehnder modulators with optimized phase-shifter

机译:具有优化移相器的高度线性硅马赫曾德尔调制器

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

We have experimentally demonstrated that the linearity of a silicon Mach-Zehnder modulator (MZM) could be improved by optimizing its phase-shifter length (PSL). Through the optimization of the PSL, the third order intermodulation distortion of the silicon MZM could be 16.7 dB lower than that of a commercial LiNbO3 MZM. The spurious free dynamic range of the link with the silicon MZM could be 4.1 dB higher than that with the LiNbO3 MZM.
机译:我们已经通过实验证明,通过优化移相器长度(PSL)可以改善硅马赫曾德尔调制器(MZM)的线性度。通过对PSL的优化,硅MZM的三阶互调失真比商用LiNbO 3 MZM的三阶互调失真低16.7 dB。与硅MZM相比,链路的无杂散动态范围可能比LiNbO 3 MZM时高4.1 dB。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号