シリコーンゲルで封止された円盤状プリント配線パターン導体間の ESD 試験によるフラッシオーバ電圧のギャップ長依存性

摘要

本論文では、ESD ガンを用いて大気中とゲル中でのFOVrnのギャップ長依存性を検討し、ゲル中FOV は大気中の約9rn倍高いことがわかった。