Varian Semiconductor Equipment, Applied Materials, Gloucester, MA, USA;
机译:离子注入激光退火的p + sup>和n + sup>区域:工业可行的高效N型叉指背接触太阳能电池的潜在解决方案
机译:高效率n型太阳能电池的a 700 mV工业可行的后钝化和接触方案
机译:大面积硼掺杂1.6Ωcmp型Czochralski硅异质结太阳能电池,稳定的开路电压为736 mV,效率为22.0%
机译:离子植入物掺杂大面积N型Czochralski高效工业太阳能电池
机译:重掺杂N型硅中的少数族裔载运子(发射极,磷表皮,双极晶体管,能隙窄带,太阳能电池)。
机译:通过锂掺杂提高了高效钙钛矿太阳能电池在中孔TiO2中的电子性能
机译:连续直拉技术生产的n型单晶硅的少数载流子寿命及其对异质结太阳能电池的影响