首页> 外文会议>2012 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference. >Electrical characterization of ALD Al2O3 - HfO2 and PECVD Al2O3 passivation layers for p-type CZ-Silicon PERC solar cells
【24h】

Electrical characterization of ALD Al2O3 - HfO2 and PECVD Al2O3 passivation layers for p-type CZ-Silicon PERC solar cells

机译:用于p型CZ-硅PERC太阳能电池的ALD Al2O3-HfO2和PECVD Al2O3钝化层的电学表征

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摘要

This work characterizes p-type Silicon surface passivation using a high-k material (Al2O3 or HfO2) combining capacitance voltage (CV) and lifetime measurements.
机译:这项工作使用结合电容电压(CV)和寿命测量的高k材料(Al2O3或HfO2)来表征p型硅表面钝化。

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