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A New Method to Improve Device Stability in Monolithic Power Amplifier Design

机译：单片功率放大器设计中提高器件稳定性的新方法

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The stability of Pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) device can be increased by added a microstrip transmission line between source and ground as inductive feedback network. We designed a two-stage monolithic microwave power amplifier (PA) with this techniques, the circuit exhibits excellent performance in power and noise figure over the entire frequency band from 9GHz to 10GHz. When matched the input and output impedance to 50 Ω, the monolithic power amplifier demonstrated best performance of 35dBm, 21 dB, 1.1 dB of output power, small signal gain and noise figure, respectively.

机译：伪高电子迁移率晶体管（PHEMT）器件的稳定性可以通过在源极和地之间添加一条微带传输线作为电感反馈网络来提高。我们使用这种技术设计了两级单片微波功率放大器（PA），该电路在从9GHz到10GHz的整个频带上均具有出色的功率和噪声系数性能。当输入和输出阻抗匹配至50Ω时，单片功率放大器分别表现出最佳性能，分别为35dBm，21 dB，1.1 dB输出功率，小信号增益和噪声系数。

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来源
《2004 China-Japan Joint Meeting on Microwaves 》|2004年|P.132-135|共4页
会议地点 Harbin(CN)
作者
Xiaozhe Chen; Liqiang Chen; Haiying Zhang; Hongmin Liu; Xunchun Liu; Fujia Zhang;
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作者单位

Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences BeituCheng West Road 3#, Beijing, P.R China, 100029 Lanzhou University, Lanzhou, Gansu province, China;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类激光技术、微波激射技术 ;
关键词
MMIC; PHEMT; PA;

机译：MMIC; PHEMT; PA;

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