Institut fuer Angewandte Mathematik, Universitaet Bonn, Wegelerstr. 6, DE-53115 Bonn, Germany;
intrinsic point defects; material parameters; molecular dynamics; semiconducting silicon; stillinger-weber potential; tersoff potential;
机译:预测硅晶体生长中本征点缺陷扩散的材料参数
机译:硅晶体的本征点缺陷和生长的微缺陷,评论:“从熔体生长过程中硅晶体的本征点缺陷行为:源自实验结果的模型”,T。Abe,T。Takahashi,《晶体生长杂志》 334 (2011)16
机译:空位和自填隙的单晶硅表面的从头算分析:熔体晶体生长过程中本征点缺陷掺入的含义
机译:预测硅晶体生长中的内在点缺陷扩散的材料参数
机译:硅和III-V半导体内在缺陷扩散的多尺度建模与机器学习研究
机译:通过第一原理计算的富硅碳化硅材料的晶体结构和电子性能
机译:预测硅晶体生长中本征点缺陷扩散的材料参数