B和热处理工艺对Al-Si合金电导率的影响

摘要

通过电导率测量、金相观察、扫描电镜分析、透射电镜分析、X射线衍射分析和电子探针微量分析,研究了B和热处理工艺对铸造Al-Si合金晶格常数、晶粒尺寸和导电性能的影响.研究结果表明:当B的质量分数低于0.02％时,铝基体内各杂质元素Ti、Cr、Mn、V均以硼化物的形式析出,晶格畸变程度降低,电导率提高了6.06％;当B的质量分数超过0.02％时,晶粒细化,晶界增多,电子散射几率增加,同时过量的B固溶在铝基体内,增大晶格畸变程度,电导率下降了2.55％;当B的质量分数为0.02％时,合金的电导率达到最,为33.00％IACS.经过520℃×5h+200℃×8h的T7热处理工艺,晶格畸变程度明显降低,合金的电导率有明显提高,增幅最高可达26.1％.