MgO-TiO2材料在AlF3-Na3AlF6-K3AlF6电解质熔体中的侵蚀

摘要

首先将TiO2含量为0-10wt％的MgO材料分别于1400,1500及1600℃条件下烧结3h,然后将其置于AlF3-Na3AlF6-K3AlF6电解质中在900℃条件下做静态侵蚀实验.采用阿基米德排水法测量了试样的体积密度及显气孔率.通过X射线衍射仪和扫描电子显微镜对试验后试样的物相组成及显微结构进行了分析.结果表明:添加TiO2能显著地促进MgO的致密化及晶粒生长.同时,含TiO2的MgO材料由于更致密,加之Mg2TiO4分布于MgO晶界处,因而具有比纯MgO材料更好的抗蚀性能.