溶剂热法合成CuInS2

摘要

三元的I-Ⅲ-Ⅵ2的半导体由于具有很多的优点在光伏器件上有很好的应用前景,在各种Ⅰ-Ⅱ-Ⅵ2中,CuInS2具有很多优点,有高的吸收系数(＞105 cm-1),合适的禁带宽度(约1.45 eV),和太阳光谱相一致,而且低毒,因此CuInS2被认为是具有发展前景的太阳能吸收材料。传统的合成方法都是在有机相中进行的,因此合成的纳米晶表面部包覆有含有长碳链的有机基团,这有利于合成的纳米晶保持稳定,对于形貌结构的保持至关重要,但是对于电子在纳米晶间的传输是不利的,因此有我们采用相交换的方法改进。在这里我们用溶剂热法合成CuInS2并用s2取代了CuInS2表面的的有机配体。