OGS触摸屏预防静电设计与工艺研究

摘要

本文对触摸屏制造过程中发生的黑矩阵(Black matrix,BM)静电击穿现象进行分析,研究了不同设计、工艺参数对抗ESD能力的影响.首先,采用扫描聚焦离子束扫描电镜(FIB)进行ESD(electrostatic Discharge,ESD)不良的微观形貌分析,采用激光修复设备进行验证分析ESD击穿的根本原因;其次,通过静电枪模拟实验对比分析不同ITO电极块设计、不同工艺条件产品的抗ESD能力;此外对不同ITO电极块设计条件,进行了电场分布模拟.实验结果表明:BM上层增加40-60nm厚的SiO2可以使BM击穿电压由4KV增强至7KV;通过增大ITO电极块夹角,BM击穿电压同样可以大幅提高;通过增大ITO电极块间距(ITO Space),可以降低电极块附近电场强度.