GaN HEMT在宽带战术电台功率放大器中的应用分析

摘要

由于GaN HEMT所具有的宽带、高效和高功率等特性,近年来在外军宽带战术电台中得到了广泛的应用,但在国内这方面的具体应用成果尚不多见,主要还是使用Si MOSFET.本文对比分析了这两类器件性能的优缺点,阐述了GaN HEMT在宽带战术电台功率放大器中的应用前景,还初步探讨了宽带战术电台用功率放大器对GaN HEMT器件的技术要求.