Geant4模拟涂硼正比管中子探测效率

摘要

本文主要根据本实验室自行研制的涂硼正比管，先用简化模型推导出涂硼正比管的探测效率，分析了影响探测效率的因素；然后利用Geant4蒙特卡罗程序包验证了中子与10B反应模型物理过程选择的正确性，在此基础上计算了涂硼正比管的探测效率，与文献结果比较相符；并指出增加10B的丰度、选取合适的硼膜厚度、在正比管周围添加中子慢化体等途径能有效提高正比管的探测效率。