多晶晶锭不同位置对应硅片的质量及电池效益的研究和改善

摘要

现多晶硅晶锭生长工艺的主要特点是：长晶方向为由下往上，这就使得分凝系数大于1的极少部分金属元素及氧元素集中分布在晶锭底部，大部分分凝系数小于l的金属元素及大部分非金属杂质分布在铸锭的顶部，从而使少子寿命呈现低部和顶部低、中间高的分布趋势;同时，由于坩埚及SiN粉末中金属杂质的扩散，多晶硅晶锭四周晶棒靠坩埚面少子寿命偏低。目前国内外关于电池片的少子寿命与电池质量关系的研究报道很多，但尚无有能够把多晶硅晶锭生长、晶锭不同位置对应硅片少子寿命及晶锭不同位置对应电池片的质量相关联起来的研究报告。本文通过精细的实验安排、测试、分析及总结，把多晶晶锭生长、晶锭不同位置对应硅片少子寿命及其对应电池片质量相互关联起来，同时找到了电池端电池片质量差异较大的最根本原因并且通过验证实验，从根本上给出了提高电池端电池片质量稳定性的方向，提高多晶收率的同时提高了电池片平均效益0.2％。