SiGe合金单晶生长及性能研究

摘要

在国产TDR-62硅单晶炉上采用直拉(CZ法),通过改进SiGe单晶生长热场和氩气流动方式,采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长工艺参数,拉制出了Ge浓度为(9.79～12.92)wt%(重量比)、直径(50～60)mm的高浓度SiGe单晶,并对拉制出的SiGe单晶的Ge浓度、位错密度及生长界面情况进行了测试和分析。