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T/R组件中低相位失真功率放大器研究

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摘要

提出一种简化的场效应晶体管模型,对模型中影响相位失真的两个主要非线性元件进行了详细的分析,推导出功率放大器的相位失真原理。根据分析结果对T/R组件中发射支路的末级功率放大器进行了优化设计,实测结果相位失真得到明显改善.

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来源
《2007年全国微波毫米波会议》|2007年|1289-1291|共3页
会议地点宁波
作者
曹磊;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN722.75;
关键词
相位失真; 功率放大器; 场效应晶体管模型; 非线性元件;

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