钯纳米线阵列的制备研究及SEM表征

摘要

多孔阳极氧化铝(AAO)成为一种广泛研究课题已有50年的历史.人们用AAO模板合成了各种金属、非金属、半导体、有机高分子等的纳米材料.钯镀层具有良好的耐蚀性和耐磨性,是理想的代金镀层之一,己在电子工业中得到了广泛应用,钯及钯黑(粒度很细)对气体有很强的吸附能力,因而具有优良的催化特性,而钯纳米线阵列可以用作微型的氢传感器和化学敏感开关.用钯纳米线制备氢传感器,具有快速响应、高灵敏度、高选择性等优点.但由于钯具有很强的吸氢和析氢的特性,使得制备钯纳米线的需要较高的工艺要求,要通过电沉积实现制备钯纳米线就更为困难,而目前除了通过电沉积法制备钯的合金纳米线或通过无电沉积法制备纯钯纳米线外,没见到直接用电沉积法制备纯钯纳米线的相关文献资料.本文利用氧化铝模板技术成功制备了钯的一维纳米线,利用SEM对其形貌进行了表征,并研究了各种实验条件对纳米线生长的影响.