正极性聚四氟乙烯薄膜驻极体电荷储存寿命的改善

摘要

研究了栅控恒压正电晕充电后的聚四氟乙烯薄膜驻极体的电荷输运特性,并对其电荷储存稳定性加以改善.结果显示在约100°C以下的较低温区和高于180°C以上的较高温区内慢再捕获效应控制着脱阱电荷的输运;而在100~180°C的温区内由慢再捕获效应过渡为快再捕获效应后再回到慢再捕获效应.经改性后的正、负极性PTFE薄膜驻极体不仅具有相近的电荷储存密度,而且在一定的温度区间内它们的电荷储存和衰减呈现类似的规律.