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富锂Zn:Fe:LiNbO<,3>晶体的结构和全息存储性能

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采用提拉法生长出具有不同Li/Nb值的Zn:Fe:LiNbO<,3>晶体.它们的紫外-可见吸收光谱的测试结果表明,随着Li/Nb比的增大,吸收光谱的吸收边发生紫移,同时它们的抗光损伤能力也随之增强.采用二波耦合实验测试了这些晶体的全息性能(衍射效率和响应时间),结果表明与Fe:LiNbO<,3>晶体相比,富锂Zn:Fe:LiNbO<,3>晶体的全息存储性能得到增强.

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来源
《2002年中国材料研讨会》|2002年|1899-1903|共5页
会议地点北京
作者
甄西合; 赵连城; 徐玉恒;
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作者单位

中国材料研究学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TB342;
关键词
抗光损伤能力; 二波耦合; 全息存储性能; 铌酸锂晶体; 光学材料;

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