基于应变模型的SiGePMOSFET性能模拟

摘要

本文在普通Si器件性能模拟的基础上,详细研究了长沟应变SiGe器件的模拟,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能主要是跨导的影响.在器件模拟过程中,采用隐含的SiGe材料和Si材料模型会得到与实际情况出入较大的结果.本文根据前人的材料研究工作,引入了插值所得的近似因子以修正silvaco中隐含的SiGe能带模型和迁移率参数.然后依据修正后的模型对SiGePMOS进行了更为精确的二维模拟,并验证了调制掺杂层的作用.