NiTi薄膜的制备及其形状记忆效应

摘要

用磁控溅射的方法制备出了具有不同厚度的ＮｉＴｉ薄膜。探索出了最佳晶化条件为５５０°C保温０．５ｈ。研究了薄膜的相变行为和记忆效应，发现其相变顺序和记忆效应与体材料相近。并且在加应力晶化的具有一定厚度比的ＮｉＴｉ／Ｃｕ复合膜中获得了双程记忆效应。