大电流GaAs光导开关寿命实验研究

摘要

采用半绝缘GaAs晶体材料,设计了耐受大电流的体结构光导开关.选取高阻仪测试了不同偏置电压和光照及暗态下的开关电阻,基于平板传输线型电路考察开关特性.通过测试不同工作发次后的开关暗态电阻,获得了暗态电阻随寿命及偏置电压的变化曲线.实验表明,初始时刻开关峰值电流达2.42kA,随着工作寿命的增加,峰值电流逐渐降低,运行7×105发次后,降至1.83kA.分析认为可能的原因是开关工作在非线性模式导致产生电流丝带来了芯片材料的局部损伤和高场强下的欧姆接触退化.