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占敏; 阮存军;
中国电子学会;
交错双栅行波管; 输入输出耦合系统; 优化设计; 传输特性;
机译:太赫兹交错双栅阵列波导切伦科夫行波放大器的场论
机译:使用应变Ⅱ交错GE_(1-X-Y)SI_XSN_Y / GE_(1-A-B)SI_ASN_B异质结的双材料双栅TFET电气参数研究
机译:太赫兹交错双栅阵列波导切伦科夫行波放大器的线性分析
机译:氮结合的氧化f栅介电薄膜和钛基金属栅电极用于双栅应用。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:葡萄牙的双区域(矩形)输入输出模型:全国中心和地区
机译:双栅反射器天线系统的理论研究
机译:半导体芯片的栅极水平栅上具有矩形形状的栅电极特征,而第一金属垂直网格上具有至少八个第一金属网格线的矩形第一金属结构
机译:包括多层矩形栅电极的半导体器件,该多层矩形栅电极在四个侧面上被侧壁间隔物和注入区包围
机译:具有矩形矩形栅电极布局特征形成的小于193纳米尺寸的栅电极导电结构的半导体器件部分,并且至少具有八个晶体管
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