太赫兹基片集成波导滤波器加工工艺研究

摘要

太赫兹基片集成波导滤波器要求通孔表面平整,掩膜图形转移一致度高,通孔质量对提高滤波器Q值至关重要。本文分别研究了三种高阻硅通孔的深刻蚀工艺,利用KOH溶液刻蚀、皮秒紫外激光刻蚀和感应耦合离子刻蚀三种方法分别在高阻硅刻蚀通孔阵列。通过对加工通孔内壁形貌表征,对比了不同刻蚀工艺的通孔制备效果，根据基片集成波导滤波器低损耗需求,提出感应耦合离子体刻蚀适用于加工高垂直度和高精准的通孔阵列刻蚀工艺。希望本研究对硅工艺深刻蚀起指导作用，能促进太赫兹集成波导滤波器硅工艺发展。