真空室表面驻留氢同位素的激光诱导击穿光谱分析进展

摘要

在聚变堆运行过程中,粒子流和能量流轰击真空室表面形成的沉积层是造成氢同位素驻留的重要原因.建立真空室表面驻留氢同位素的激光诱导击穿光谱(LIBS)分析技术,可进行非接触式原位分析,给出氢同位素含量随深度分布的数据,为包层全结构优化及驻留氢同位素去除工艺探索提供必要的科学依据,是质谱、拉曼光谱等传统氢同位素分析方法的重要补充.