不均匀电场SF6/CF4混合气体的光谱实验研究

摘要

文中通过对SF6/CF4混合气体在针板电极电场条件下,采用光谱测量法分析SF6气体含量为20％～80％、压强为0.1～0.3MPa及电极间距在4～10mm下的气体击穿等离子体导电通道的发射光谱.利用多谱线斜率法及Stark展宽法计算SF6/CF4混合气体完全击穿的等离子体通道中电子温度、电子数密度等参数,建立等离子体导电通道的电子温度、电子数密度与气体压强、电极间距的关系.研究表明:当电极间距为4mm时,随着混合气体压强的升高等离子体电子温度下降、电子数密度上升,ρSF6为80％时等离子体通道的电子温度由0.1MPa时的3.72×104K下降到0.3MPa时的1.99×104K,电子数密度由2.61×1017m-3增大到5.72×1017m-3;0.1MPa下电极间距在4mm时等离子体通道中电子温度随SF6气体含量的升高而上升,电子数密度呈下降趋势;电极间距在4～10mm时,ρSF6为20％时0.1MPa下等离子体通道中电子温度及电子数密度基本不变,电子温度约为2.35×104K,电子数密度约为3.22×1017m-3.