三光素CdTe1—xSex晶体制备及其物理性质

摘要

采用低汽压的B—氏方法生长CdTeSe，比国外高压LEC和高压B—氏法具有工艺简单，成本低的特点，已生长了X从0．005至0．15的若干只晶体，表面光滑，全单晶的长度大于3cm，如工艺掌握恰当，成晶的几率和尺寸将大于CdTe，并对其各种参数和杂质进行了测定和分析。用X射线粉末法作物相分析，结果表明掺有不同浓度Se的样品其晶格常数a0也发生变化。用扫描镜测Se的不均匀性，并进行了位错观察、电学参数电测量。用170—70型塞曼原子吸收分光光度计测量杂质。认为荧光分析是检验材料质量最灵敏的方法之一。（韩理洁摘）