MOS结构辐照陷阱消长研究的快速I-V技术

摘要

建立了一套用于ＭＯＳ结构辐照陷阱消长规律研究的快速Ｉ－Ｖ在线测试系统，用此系统可进行自动加偏和Ｉｄｓ－Ｖｇｓ亚阈曲线测试，从而可快速定性定量地获得辐照和退火环境中氧化物电荷和Ｓｉ／ＳｉＯ〈，２〉界面态随辐照剂量、时间、偏置等的依赖关系。