PMOSFET的低能瞬态X-ray及强电子束电离辐照效应

摘要

对电离辐照敏感的厚氧化层ｐＭＯＳＦＥＴ进行了瞬态Ｘ－ｒａｙ和低能强流电子束辐照实验，通过对阈电压漂移的跟踪监测，研究了ｐＭＯＳＦＥＴｓ的瞬态电离辐照效应，运用辐射感生氧化物、界面缺陷模型并结合ＭＯＳ器件寄生二极管等效电路模型解释了实验结果。