GaAsMMIC抗静电能力研究

摘要

用人体静电放电模拟器对以ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ为主要有源器件的ＭＭＩＣ的静电敏感度进行了研究，叙述了在ＭＭＩＣ设计、工艺制作等环节防静电和提高ＭＭＩＣ抗静电能力的措施，采用这些措施后，低噪声ＭＭＩＣ静电损伤阈值电压达到５００－８００伏。