碳化硅颗粒增强铝基复合材料(AL/15vol﹪SiC)的界面内耗峰研究

摘要

在金属基复合材料中由于金属基体和陶瓷增强物的热膨胀第数的差别（△ＣＴＥ），界面附近都将有残余内应力存在。由于基体的屈服强度小于陶瓷颗粒的屈服强度，当残余应力大于基体屈服应力时，界面附近的基体将产生微塑性形变，即产生位错。很多研究工作表明，复合材料的增强制和阻尼机制与△ＣＴＥ而引入的高密位错密切相关。该文研究了Ａ１／ＳｉＣ复合材料的温度内耗谱，在低频下发现有弛豫型内耗峰稳定出现在１５０～２００℃温区内。作者认为界面附近基体内受点缺陷控制的位错运动是内耗峰产生的原因。