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中国物理学会;
机译:X射线衍射,正电子An没寿命和透射电子显微镜分析Ni-20质量百分数的Cr合金冷轧中的位错亚结构
机译:应用进化与位错行为研究MO20W20CO20TA20ZR20高熵合金涂覆Ni单晶的纳米indentation
机译:Cu-20ni-20mn合金的位错子结构控制软化
机译:电子束辐照下4H-SiC中11-20和非11-20基面位错的不同解离行为
机译:通过分析性位错模型和原位透射电子显微镜研究了摩擦学界面。
机译:B2有序Al28Co20Cr11Fe15Ni26高熵合金的位错和形变微观结构
机译:B2有序Al $ _ {28} $ Co $ _ {20} $ Cr $ _ {11} $ Fe $ _ {15} $ Ni $ _ {26} $高熵合金的位错和形变微观结构
机译:用透射电子显微镜表征外部晶界位错和晶界位错源。最终报告,1979年6月1日至1981年5月31日
机译:使用FLOOD-STEINBERG标记能够从16位图像系统获得与24位图像类似的质量的位错现象改进方法,而使用PC可读介质的FLOW-STEINBERG改进方法则是通过16位图像位错现象改进的方法在计算机上读取的介质
机译:测量位错的方法和测量位错的装置
机译:生产热位错PBX的方法,热位错PBX和薄膜
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