Ⅲ-Ⅴ族平面环（HXYH）＜，n＞的结构与稳定性（n=2-4；X=B，Al；Y=N，P；n=2-4）

摘要

自1926年（HBNH）＜，3＞＜＇[1]＞被合成以来，人们对Ⅲ-Ⅴ族杂环化合物的实验与理论研究产生了很大的兴趣＜＇[2-5]＞。该本拟对模型平面化合物（HXYH）＜，n＞n=2-4进行系统的研究，并与相应的C＜，4＞H＜，4＞、C＜，6＞H＜，6＞、C＜，8＞H＜，8＞进行比较。通过设计homodesmic reaction来计算它们的离域能ΔE＜，rxn＞并根据其π分子轨道的组成与电荷布居讨论它们的成键特征。